DSA120C150QB
0 50 100 150 200
0
20
40
60
80
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
20
40
60
80
100
120
0 50 100 150
0.001
0.01
0.1
100°C
1
125°C
10
100
020406010 30 50 70
0
10
20
30
40
50
60
0.001 0.01 0.1 1 10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
050100150
100
1000
10000
TVJ=175°C
TVJ= 25°C
IF
[A]
VF
[V]
IR
[mA]
VR
[
VR
[V]
V]
CT
[pF]
TC
[°C]
IF(AV)
[A]
P(AV)
[W]
ZthJC
[K/W]
t[s]
Note: All curves are per diode
Fig. 1 Max. forward voltage
drop characteristics
Fig. 2 Typ. reverse current
IR
vs. reverse voltage VR
Fig. 3 Typ. junction capacitance
CT
vs. reverse voltage VR
Fig. 4 Average forward current
IF(AV)
vs. case temp TC
Fig. 5 Forward power loss
characteristics
Fig.6Transientthermalimpedance
junction to case at various duty
cycles
IF(AV)
[A]
TVJ
=
150°C
125°C
25°C
Rthi
ti
0.022 0.0002
0.082 0.0032
0.104 0.026
0.165 0.208
0.027 0.79
150°C
75°C
50°C
25°C
d=0.5
DC
d =
DC
0.5
0.33
0.25
0.17
0.08
Schottky
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131031b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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